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[最新资讯] 俄罗斯公布 EUV 光刻路线图

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俄罗斯科学院微结构物理研究所公布了国产极紫外(EUV)光刻机路线图,计划在 2026–2036 年间分阶段研发三代设备,目标制程从 40nm 推进至亚 10nm。

该方案采用不同于 ASML 的技术架构,使用氙等离子体光源和钌/铍反射镜,避免锡滴光源带来的碎屑问题。研发团队称,这将降低复杂度和维护成本,并覆盖 65 至 9nm 工艺节点,设备价格也将低于 ASML 的产品。

但业内指出,11.2nm 波长并非行业标准,涉及镜片、光源、光刻胶等大量技术难题,实际可行性仍不确定。分析人士认为,即便研发成功,其更多可能用于科研或实验,而非立即商业化。

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